Photoluminescence of freestanding single- and few-layerMoS2
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
Single Nucleotide Polymorphisms and Association Studies: A Few Critical Points
Uncovering DNA sequence variations that correlate with phenotypic changes, e.g., diseases, is the aim of sequence variation studies. Common types sequence variations are Single nucleotide polymorphism (SNP, pronounced snip).SNPs are the third-generation molecular marker. SNP represents a DNA sequence variant of a single base pair with the minor allele occurring in more than 1% of a given popula...
متن کاملinvestigation of single-user and multi-user detection methods in mc-cdma systems and comparison of their performances
در این پایان نامه به بررسی روش های آشکارسازی در سیستم های mc-cdma می پردازیم. با توجه به ماهیت آشکارسازی در این سیستم ها، تکنیک های آشکارسازی را می توان به دو دسته ی اصلی تقسیم نمود: آشکارسازی سیگنال ارسالی یک کاربر مطلوب بدون در نظر گرفتن اطلاعاتی در مورد سایر کاربران تداخل کننده که از آن ها به عنوان آشکارساز های تک کاربره یاد می شود و همچنین آشکارسازی سیگنال ارسالی همه ی کاربران فعال موجود در...
Radiative Recombination and Ultralong Exciton Photoluminescence Lifetime in GaN Freestanding Film Via Two-Photon Excitation
متن کامل
Size-dependent visible absorption and fast photoluminescence decay dynamics from freestanding strained silicon nanocrystals
In this article, we report on the visible absorption, photoluminescence (PL), and fast PL decay dynamics from freestanding Si nanocrystals (NCs) that are anisotropically strained. Direct evidence of strain-induced dislocations is shown from high-resolution transmission electron microscopy images. Si NCs with sizes in the range of approximately 5-40 nm show size-dependent visible absorption in t...
متن کاملIntegrated freestanding single-crystal silicon nanowires: conductivity and surface treatment.
Integrated freestanding single-crystal silicon nanowires with typical dimension of 100 nm × 100 nm × 5 µm are fabricated by conventional 1:1 optical lithography and wet chemical silicon etching. The fabrication procedure can lead to wafer-scale integration of silicon nanowires in arrays. The measured electrical transport characteristics of the silicon nanowires covered with/without SiO(2) suppo...
متن کاملذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: Physical Review B
سال: 2014
ISSN: 1098-0121,1550-235X
DOI: 10.1103/physrevb.89.125406